在過去的二十年中，由于國內外窄線寬激光器技術的飛速發展，通過各種方法實現的窄線寬激光器不斷出現。同時，由激光實現的線寬不斷縮小。半導體激光器的線寬已達到kHz的數量級，而窄線寬的光纖激光器已達到Hz的數量級。例如，美國的一家半導體激光器公司使用的外腔技術在PLC上雕刻光纖光柵，從而設計出一種窄線寬半導體激光器，專門用于長距離，高精度傳感，并且其線寬達到3kHz。與窄線寬光纖激光器相比，這種窄線寬激光器的突出優點是它具有穩定的結構，并且在高振動條件下其性能不會改變。

　　

　　對于窄線寬激光器，盡管半導體激光器的線寬指標仍有一定差距，但由于體積，功耗，半導體激光器的尺寸和穩定性，它們比光纖激光器具有更大的優勢，因此窄線寬半導體激光將有更廣泛的應用范圍。

 

　　分類說明：

　　1、半導體激光器，分布反饋激光二極管和分布布拉格反射激光器，重用的都是應用于1500或者1000nm區域，典型的工作參數為輸出功率為幾十毫瓦（有時大于100毫瓦），線寬為幾個MHz。

　　2、半導體激光器得到的線寬可能更窄，例如采用包含窄帶光纖布拉格光柵的單模光纖拓展諧振腔，或者采用外腔二極管激光器，采用這種方法，可以實現幾 kHz甚至小于1kHz的超窄線寬。

　　3、小的分布反饋光纖激光器可以產生幾十毫瓦的輸出功率，線寬為幾kHz范圍。

　　4、具有非平面環形諧振腔的二極管泵浦固態體激光器也可以得到幾kHz的線寬。同時輸出功率相對較高，在1W量級，盡管典型波長為1064nm，其它的波長區域。